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奥出 進也*; 野呂 寿人*; 名越 正泰*; 馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (13), P. 350, 1995/00
X線吸収端微細構造法(XANES)における分析深さを検討することを目的として、Si上に蒸着したAlを試料としてSi-K吸収端における電子収量を測定した。蒸着したAlには、膜厚がそれぞれ10~1000nmのもの5種を用いた。この結果、Al膜厚が100nmの試料においてもSiの吸収が観測されることから、XANES法における分析深さが100nm以上に達することを明らかにすることができた。